第五百一十六章 一把火烧了它？(3/5)
介质的折射率。“浸没式光刻机的光介质是水,折射率比空气大很多,约等于1.44,而这台机器的第二代折反式光学镜头已经把拉到了大约70°,sin70°=0.937,NA已经达到了1.35,差不多逼近极限了。
“所以,下一代光刻机,大概率只能从套刻精度上下功夫,提升多重曝光的能力,而单次曝光CD的极限很难提升了。"
这次梁孟松讲得很慢,而且很细,陈学兵边听边想,仍皱眉头。
“那个...水介质,也就是浸没式,不是降低光源波长来提升制程吗?怎么变成提升NA值了?”
梁孟松的眼神和陈学兵对上,陈学兵恍惚间看到了他中午对着王兴一般的无语。
不,好像还要更无语。
“你从哪学的伪科学?光源的波长进入任何物质都不会被改变,这是七年级物理课内容。”
“...我学文科的,再说我们大陆课程和你们不一样,初二才有物理,能搞懂干式和浸没式的区别就不错了。”陈学兵强行挽尊。
“好吧。”梁孟松倒也没有纠结,反而赞赏起来:“也是,你这样的投资人愿意了解这些,不多见。”
陈学兵口罩下重新微笑,心里也逐渐清晰起来。
“那工艺因子,听起来是和工艺相关?是各个厂家的技术决定吧?”
“对,这是很多技术决定的,拿65nm节点来说,中芯目前应该0.4-0.45之间,而台积电能达到0.32-0.35,所以中芯的65nm节点实际线宽可能是68nm,台积电65nm节点的实际线宽可以达到56nm,双方同代下会有性能
差,不过这个问题你不用担心,我会逐步调整的,而且0.25就是理论极限,想继续逼近极限非常难,成熟节点的落差最终不会太大。”
陈学兵听着,有了判断。
那这个k1确实很难产生很大进步了。
波长不能变,NA接近极限。
除了通过提升套刻精度搞更多重的曝光,DUV已经难有提升了。
他这么一想,对EUV就愈发有危机感。
EUV光源缩短十几倍,分子不是一下就缩小了十几倍?
“EUV...你了解吗?”陈学兵试探着问道。
他之前问过张汝京同样的问题,得到的是否定的答案。
梁孟松则迟疑了一下:“EUV?你想问什么?”
他一时没有思路,只能顺着刚才的话题问道:“EUV...也是靠这个公式进步吗?”
“是,不过EUV那样的光源,NA值达不到这么大,首先它波长太短,在任何介质下都会被吃掉,所以传播必须是真空,无法通过水提高折射率,连透镜折射都不行,只能反射,所以它的目标NA值是0.33,很难提升。”
其实这个0.33还有一番算法,梁孟松也不再细讲了,直接给了个答案。
陈学兵倒是听得心里一动:“这方面的理论知识你都清楚?”
梁孟松耸耸肩,笑道:“台积电从去年开始把EUV加入研发路线,林本坚和Anthony Yen负责,尤其是Anthony Yen,深度参与过EUV LLC早期的研究,自带最前沿的Know-how...比起他们,我不算了解。”
“能挖吗?”陈学兵立即道。
“怎么?你妄想做EUV?”梁孟松反笑:“你不是答应台积电不挖他们的人。”
“我答应中芯不挖,没