第五百一十二章 反主为客(1/4)
陈总此次来台,与在韩国的高调完全相反,静悄悄,孤零零带着任颖,入住了一家名不见经传的小酒店。夜已深,酒店楼梯间的声控灯忽明忽暗。
蒋尚义在小巨蛋附近寻了两圈才找到这间酒店,敲开302房门时,陈学兵正对着笔记本电脑看资料,任颖安静地坐在一旁整理文件,屋里只有空调的轻微嗡鸣。
见只有蒋尚义一人,陈学兵起身让座,毫无客套:
“蒋总,路上辛苦了,这是我们调整后的技术授权包,你过目。”
任颖递过去一份刚整理好的薄薄的合同,蒋尚义接过看了看,正好他随身公文包里有准备好的合同原清单,便拿出来逐页对比。
灯光下,他的眉头渐渐蹙起。
原清单里的七八项45nm平面工艺辅助专利被剔除,取而代之的是两项专利:
「鳍片定义的SADP自对准双重曝光」和「源漏区的LELE光刻」。
蒋尚义指尖在纸上顿了顿,很快有了判断。
“你们是想做... FinFET?”
陈学兵靠在椅背上笑了笑,既不承认也不否认:“这两项专利虽然是FinFET核心,但台积电已经储备更先进的SAQP四重曝光技术,授权SADP/LELE不会泄露台积电真正的技术壁垒。”
这套话术,是梁孟松教他的。
专利包的增减,也是梁孟松定的。
梁孟松认为这份专利包有些冗余,原有清单中有七八项专利是45nm平面工艺的辅助专利,对FinFET价值有限,这部分可以在IBM给中芯的45nm工艺参数上想办法,并且可以通过复用IBM的技术参数,寻找出替代台积电的
工艺方案,减少单一依赖。
而新增的两项专利,其实是梁孟松自己的,只是当时他在台积电,专利便归了台积电。
SADP搞定鳍片结构,LELE搞定源漏性能,这两项专利可以帮助解决FinFET最关键的“鳍片图形成型”问题,精准成型FinFET的源极和漏极区域,决定芯片的电流驱动能力和功耗控制。
台积电已经有更先进的技术,而梁孟松拿到这两项技术授权,便可以走自己的方向。
蒋尚义合上合同,抬眼看向陈学兵:“你就这么确定,张会同意?”
“蒋总比我更懂张董。”陈学兵笑道:“他并不想我们太快接触到45nm制程抢台积电的生意,我们放弃的七八项专利,才是45nm量产的刚需专利,而那两项专利中大部分是梁孟松参与,有没有台积电授权我们都能用,只是
一个合法性的问题而已,且这两项专利对我们来说,几年内都不一定用得上。”
“所以...这次专利授权调整,是蒋总你主动提出来的,为的就是让我们无法太快进入45nm制程,用两项梁孟松本就懂的未来专利,换掉了中芯进阶45nm所需的关键专利。”
陈学兵的话,让蒋尚义重新翻看手里的清单,发现确实如陈学兵所说。
他心中盘算了一下,应该是说得通的。
但这是基于“他主动替换专利”的情况下。
而他却明明白白知道,这专利是对方主动替换的。
这就表明,对方是一定会用上这两项FinFET专利,而且认为这两项专利比那些45nm专利更重要。
他后背有些发凉。
梁孟松...真有那个能力?
能在脱离台积电的情况下,独自在中芯这样的落后工厂里打造出FinFET