第四百八十三章 我不会让你输(1/4)
陈学兵说出这句话,内心也经过了一番挣扎。扶柳传上位,让张汝京退位,这些事若传出去,以后人们不知会怎样看他。
可事情往往就是这么反直觉。
柳传还有利用的价值,张汝京继续待在中芯,却是一点好处都没有了。
这一点都不公平,可是...它需要这么发生。
“陈总,你到底站在哪一边?!”张汝京背起了手,有些激动地问道。
陈学兵早已有了迎接怒火的准备,此时十分冷静地回答:“自然是国产半导体这一边。”
“砰!”
张汝京猛地将桌上的诉讼副本拍在桌面上,语气里满是悲愤与倔强:“台积电要我退位?我偏不退!他们告一次,我接一次!1.75亿美元的赔偿我扛了,90nm,甚至65nm的技术难关我闯了,现在你告诉我,要我用退位换
和解?这不是妥协,这是认输!是对所有跟着我回国半导体的兄弟的背叛!”
陈学兵端坐不动,等张汝京的怒火稍歇才缓缓道:
“张,65nm你可以靠193nm浸没式光刻和偏光照明、OPC、RET这些光学技巧硬闯过去,可45nm不是光靠技巧就能解决的。
“台积电和英特尔在45nm已经用上了193nm浸没式、NA值1.2的光刻机、高NA透镜、双重曝光,中芯呢?你们连一台真正的193i都还没完全跑顺,更别说DP工艺整合、套刻精度、overlay控制。
“45nm的栅极CD要求已经到了40nm以下,单靠193nm单曝,衍射极限摆在那里,线宽粗糙度(LWR)、CD均匀性根本压不下去。
“更别说HKMG(高K金属栅)、应变硅、低k介质、铜互连的电迁移问题,这些不是买几台设备就能解决的,需要整个工艺平台的积累。
“台积电在45nm已经做了两年以上的工艺验证,中芯现在连65nm的良率都稳定不了,你告诉我,45nm靠什么跟他们拼?靠勇气吗?”
这顿输出,把张汝京说哑了。
他没想到一个投资人,竟然跟他讲技术问题,还把问题讲得如此专业和具体。
实际上陈学兵此前对晶圆制造也就知道个流程,晓得哪些工艺比较关键,这次是让辛梦真咨询了DCT请来的日本专家,废了很大的劲才把这些专业名词的含义大概掌握,不过根据中芯国际面临的层层技术阻碍,不需要深懂,
已经让张汝京无法回答了。
“45纳米,单曝必死,多重曝光是唯一的量产路径。”
陈学兵沉声说罢,又再反问:“如果没有台积电许可,自研多重曝光思路一条,张总你告诉我,你打算怎么解决这个问题?”
前方全是台积电和Inter的专利墙,强做就是专利侵权,甚至没有人家的授权和技术文档,做下去也是成本爆炸。
他问得如此具体,张汝京已经没法用“决心”两个字来回答了。
“我们可以研究混合曝光方案...”张汝京虽回答了,但也有些势弱。
混合曝光,本质上是“能单曝就单曝,实在不行才用多重曝光”的折中方案。
专利风险虽然小一点,但仍然存在,而且工艺不一致,技术缺点太多,是工艺集成工程师的噩梦,这不是长久之路。
陈学兵微微摇头,也说明着他的答案并不具备可行性。
张汝京的脸色一阵一阵白,嘴唇动了动,却一个字也说不出来。
陈学兵的话像一把钝刀,在他的肉。